[发明专利]一种改善小尺寸沟槽内薄膜生长效果的方法无效
| 申请号： | 201310630336.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103681512A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈晋;宋振伟;徐友峰;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善小尺寸沟槽内薄膜生长效果的方法，包括以下步骤：提供一半导体器件，所述器件自下而上依次包括衬底、衬垫氧化层和多晶硅层，所述半导体器件形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离内有填充层，所述填充层的顶端位于所述衬垫氧化层与所述多晶硅层上表面之间；采用湿法刻蚀工艺去除部分所述多晶硅，以扩大所述浅沟槽隔离结构的窗口，然后进行后续的薄膜生长工艺。本发明通过采用湿法刻蚀工艺以增大浅沟槽开口图案，进而使得ONO薄膜更好将沟槽进行填充，避免ONO薄膜中出现空洞，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 尺寸 沟槽 薄膜 生长 效果 方法 | ||
【主权项】：
一种改善小尺寸沟槽内薄膜生长效果的方法，应用于非易失性闪存器件的制备工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一具有单元区的半导体器件，所述器件自下而上依次包括衬底、衬垫氧化层和多晶硅层，所述半导体器件形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离内有填充层，所述填充层的顶端位于所述衬垫氧化层与所述多晶硅层上表面之间；采用湿法刻蚀工艺去除部分所述多晶硅，以扩大所述浅沟槽隔离结构的窗口，然后进行后续的薄膜生长及后续工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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