[发明专利]观察化学机械研磨工艺中对金属腐蚀情况的方法有效
申请号: | 201310630329.1 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103659574A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;范荣伟;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;H01L21/768 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种观察化学机械研磨工艺中对金属腐蚀情况的方法,应用于离子阱浓度不同的半导体器件结构中,所述方法包括:在一晶圆的切割道上设置若干个具有同一离子种类和离子浓度的离子阱;在每个所述离子阱的上方通过两个接触孔连接两个化学机械研磨后形成的金属线;将每个所述离子阱按照所述金属线之间的距离递减的顺序进行排列;通过显微镜对所述金属线表面进行观察。本发明方法可以采用电子显微镜直接观察在不同化学机械研磨工艺条件下形成的互连结构,可以直接发现不同离子浓度的离子阱上不同距离金属线的腐蚀情况,并通过观察晶圆的不同位置可以得到一个完整晶圆的腐蚀分布情况,进而便于对工艺进行快速和有效的优化。 | ||
搜索关键词: | 观察 化学 机械 研磨 工艺 金属腐蚀 情况 方法 | ||
【主权项】:
一种观察化学机械研磨工艺中对金属腐蚀情况的方法,应用于离子阱浓度不同的半导体器件结构中,其特征在于,所述方法包括:在一晶圆的切割道上设置若干个具有同一离子种类和离子浓度的离子阱;在每个所述离子阱的上方通过两个接触孔连接两个化学机械研磨后形成的金属线;将每个所述离子阱按照所述金属线之间的距离递减的顺序进行排列;通过显微镜对所述金属线表面进行观察。
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