[发明专利]包括在有源鳍之间的突出绝缘部分的半导体器件有效
| 申请号： | 201310628274.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855219B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 前田茂伸;姜熙秀;沈相必;洪秀宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括场绝缘层，该场绝缘层包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和相对于第一和第二正交方向从主表面突出特定距离的突出部分；第一和第二多沟道有源鳍可以在场绝缘层上延伸并可以通过突出部分彼此分离。导电层可以从突出部分的最上表面延伸以横跨位于第一和第二多沟道有源鳍之间的突出部分。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 有源 之间 突出 绝缘 部分 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：场绝缘层，包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和在垂直于所述第一和第二正交方向的第三方向上从所述平面主表面突出的突出部分；第一和第二多沟道有源鳍，在所述场绝缘层上沿所述第二正交方向延伸并通过所述突出部分彼此分离，以使得所述突出部分形成在所述第一和第二多沟道有源鳍之间的在所述第二正交方向上的间隙中；和导电层，从所述突出部分的最上表面延伸以横跨位于所述第一和第二多沟道有源鳍之间的所述突出部分。
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