[发明专利]用于制造场效应晶体管器件的方法

摘要

一种用于制造场效应晶体管器件的方法，包括：在基底上图案化鳍部，在布置在基底上的一部分鳍部和一部分绝缘层上方图案化栅叠层，在栅叠层、一部分鳍部及一部分绝缘层上方形成保护屏障，保护屏障包封栅叠层，第二绝缘层在部分鳍部和保护屏障上方沉积，执行第一蚀刻过程以便选择性地去除部分第二绝缘层而无需显著去除保护屏障以便限定空腔，所述空腔暴露鳍部的部分源区和漏区，并且导电材料在空腔内沉积。

主权项

一种制造场效应晶体管器件的方法，所述方法包含：在基底上图案化鳍部；在布置在所述基底上的一部分所述鳍部和一部分绝缘层上方图案化栅叠层；在所述栅叠层、一部分所述鳍部及一部分所述绝缘层上方形成保护屏障，所述保护屏障包封所述栅叠层；第二绝缘层在部分所述鳍部和所述保护屏障上方沉积；执行第一蚀刻过程以便选择性地去除部分所述第二绝缘层而无需显著去除所述保护屏障以便限定空腔，所述空腔暴露所述鳍部的部分源区和漏区；以及导电材料在所述空腔内沉积。