[发明专利]双应力薄膜的制造方法及具有双应力薄膜的半导体器件

摘要

本发明提供了一种双应力薄膜的制造方法及具有双应力薄膜的半导体器件，该制造方法在衬底上沉积一层具有张应力的氮化硅薄膜后，对NMOS区域的氮化硅薄膜进行掩盖，然后利用惰性气体离子对PMOS区域的氮化硅薄膜进行离子注入，使得PMOS区域的氮化硅薄膜从张应力薄膜转变成压应力薄膜，避免了传统的SMT工艺对PMOS器件产生负面影响的问题，在提高NMOS器件速度的情况下，也提高了PMOS器件的性能，且工艺简单且易实施。

主权项

一种双应力薄膜的制造方法，其特征在于，提供一具有NMOS区域和PMOS区域的衬底，所述衬底上形成有氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜为张应力薄膜；在所述NMOS区域的氮化硅薄膜上覆盖光阻层；采用惰性气体离子对所述PMOS区域的氮化硅薄膜进行等离子体处理，使所述PMOS区域的氮化硅薄膜转变为压应力薄膜；以及去除所述NMOS区域的氮化硅薄膜上的光阻层。