[发明专利]一种双应力薄膜的制造方法

摘要

本发明提供了一种双应力薄膜的制造方法，该方法在衬底上沉积一层具有张应力的氮化硅薄膜后，对NMOS区域的氮化硅薄膜进行掩盖，然后利用惰性气体离子对PMOS区域的氮化硅薄膜进行离子注入，使得PMOS区域的氮化硅薄膜从张应力薄膜转变成压应力薄膜，随后进行退火工艺，并去除NMOS区域和PMOS区域上的氮化硅薄膜，记忆在栅极结构中的应力会传导到沟道之中，不但避免了传统的SMT工艺对PMOS器件产生负面影响的问题，而且在提高NMOS器件速度的情况下，也提高了PMOS器件的性能，且工艺简单且易实施。

主权项

一种双应力薄膜的制造方法，其特征在于，提供一具有NMOS区域和PMOS区域的衬底，所述衬底上形成有氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜为张应力薄膜；在所述NMOS区域的氮化硅薄膜上覆盖光阻层；采用惰性气体离子对所述PMOS区域的氮化硅薄膜进行等离子体处理，使所述PMOS区域的氮化硅薄膜转变为压应力薄膜；去除所述NMOS区域的氮化硅薄膜上的光阻层；进行退火工艺；以及去除所述NMOS区域和PMOS区域上的氮化硅薄膜。