[发明专利]一种改善刻蚀后硅片外观的扩散工艺

摘要

本发明涉及一种改善刻蚀后硅片外观的扩散工艺，包括升温、稳定温度、预氧化、恒温沉积、推结和冷却步骤，所述推结为变温有氧推结。具体步骤为：硅片进炉后由780℃升至830℃，时间8min，仅通大N2；在830℃稳定3min，仅通大N2；在830℃对硅片进行3min的预氧化，O2比例以体积百分计为15%；在830℃对硅片进行10min的沉积，通入大N2、O2和小N2的混合气体，小N2比例以体积百分计为15%；沉积结束后停止通小N2，温度由830℃降至815℃，通入大N2、O2进行杂质再分布，控制时间在15min，O2比例以体积百分计为15%；将温度降至780℃，时间10min，仅通大N2。本发明从扩散工艺入手，解决了硅片刻蚀后产生黑边的问题。

主权项

一种改善刻蚀后硅片外观的扩散工艺，包括升温、稳定温度、预氧化、恒温沉积、推结和冷却步骤，其中：升温：硅片进炉后由780℃升至830℃，时间8min，仅通大N2；稳定温度：在830℃稳定3min，仅通大N2；预氧化：在830℃对硅片进行3min的预氧化，O2比例以体积百分计为15%；恒温沉积：在830℃对硅片进行10min的沉积，通入大N2、O2和小N2 的混合气体，小N2比例以体积百分计为15%；推结：进行杂质再分布；冷却：将温度降至780℃，时间10min，仅通大N2；其特征在于，所述推结为变温有氧推结：沉积结束后停止通小N2，温度由830℃降至815℃，通入大N2、O2进行杂质再分布，控制时间在15min，O2比例以体积百分计为15%。