[发明专利]一种背结-背接触太阳能前表面场制备方法

摘要

本发明涉及一种太阳电池的制备方法，尤其是一种背结-背接触太阳电池前表面场制备方法，包括步骤：将硅片进行双面抛光；通过激光烧蚀或者腐蚀性浆料刻蚀的方法；对硅片进行双面织构化处理；将硅片放入扩散炉中进行双面磷源扩散处理；在硅片背面整个区域沉积介质薄膜；去除硅片前表面的PSG；将硅片放入刻蚀溶液中刻蚀；去除硅片背面的介质薄膜；对硅片进行后续介质薄膜沉积及金属化工艺处理。本发明通过在背面沉积介质薄膜，使得刻蚀工艺对电池背面基区的n+层不产生影响，保留了背面n+层的掺杂浓度，从而有利于降低背面基区金属与硅基体的接触电阻，提高太阳电池的性能。

主权项

一种背结‑背接触太阳电池前表面场制备方法，其特征在于：包括以下步骤（a）将硅片进行双面抛光，对抛光后的硅片背面利用硼源扩散得到p⁺发射极，在硅片背面沉积80‑200nm的介质薄膜； （b）通过激光烧蚀或者腐蚀性浆料刻蚀的方法，将硅片背面要形成n型电极局域的介质膜去掉，得到基区开膜图案；（c）对硅片进行双面织构化处理；（d）将硅片放入扩散炉中进行双面磷源扩散处理，在背面基区开膜处及前表面得到n⁺重掺杂层；^{（e）在硅片背面整个区域沉积20‑150nm的介质薄膜； （f）采用单面腐蚀的方式，去除硅片前表面的PSG；（g）将硅片放入刻蚀溶液中刻蚀0.5‑1min至硅片正面方阻为100‑200Ω/□□；（h）将刻蚀后的硅片放入一定浓度的HF溶液中浸泡以去除硅片背面的介质薄膜；（i）对硅片进行后续介质薄膜沉积及金属化工艺；根据权利要求1所述的一种背结‑背接触太阳电池前表面场制备方法，其特征在于：步骤（a）中的介质薄膜为SiNx、SiOx、SiCx的一种或多种层叠组成。}