[发明专利]包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310620898.8 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855217B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | M.科托罗格亚;H-P.费尔斯尔;Y.加夫利纳;F.J.桑托斯罗德里古斯;H-J.舒尔策;G.赛贝特;A.R.施特格纳;W.瓦格纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,马永利 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一沟槽中包括第一栅电极的第一晶体管单元。所述半导体器件进一步包括在第二沟槽中包括第二栅电极的第二晶体管单元，其中第一和第二栅电极被电连接。所述半导体器件进一步包括第一和第二沟槽之间的第三沟槽，其中第三沟槽从半导体主体的第一侧比第一和第二沟槽更深地延伸到半导体主体中。所述半导体器件进一步包括第三沟槽中的覆盖第三沟槽的底侧和壁的电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 沟槽 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一晶体管单元，在第一沟槽中包括第一栅电极；第二晶体管单元，在第二沟槽中包括第二栅电极，其中第一和第二栅电极被电连接；第一和第二沟槽之间的第三沟槽，其中第三沟槽从半导体主体的第一侧比第一和第二沟槽更深地延伸到半导体主体中；以及第三沟槽中的电介质，覆盖第三沟槽的底侧和壁，其中作为第三沟槽的壁的衬里的电介质在与第一和第二沟槽中的栅极电介质一致的垂直层级处的厚度大于第一和第二沟槽中的栅极电介质的厚度。
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