[发明专利]光生电荷载流子的控制有效
申请号: | 201310619425.6 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN104037181B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | T.贝弗;H.法伊克;T.考奇;D.梅因霍尔德;H.梅尔茨纳;D.奥芬贝格;S.帕拉斯坎多拉;I.尤利希 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 谢攀;马永利 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光生电荷载流子的控制。描述并描绘了与光生电荷载流子的控制有关的实施例。一种制造设备的方法,所述方法包括:提供非均匀掺杂轮廓,以使得在光转换区域的至少部分中生成具有垂直场矢量分量的电场;在非均匀掺杂轮廓上方生成包括多个控制电极的控制电极结构用于引导光生电荷载流子。 | ||
搜索关键词: | 电荷 载流子 控制 | ||
【主权项】:
1.一种制造设备的方法,所述方法包括:提供将光转换成光生电荷载流子的光转换区域,所述光转换区域具有在垂直方向上改变的净掺杂浓度,以使得所述光转换区域具有非均匀掺杂轮廓,所述非均匀掺杂轮廓具有布置在半导体衬底内一深度处的掺杂层处的局部最大净掺杂浓度,所述非均匀掺杂轮廓的净掺杂浓度在垂直方向上从所述深度朝向控制电极结构降低,使得光生电荷载流子被朝向控制电极结构引导,所述非均匀掺杂轮廓的净掺杂浓度在垂直方向上从所述深度随着远离控制电极结构而降低,使得光生电荷载流子被远离控制电极结构引导,并且所述非均匀掺杂轮廓的净掺杂浓度在所述光转换区域的至少部分中生成具有垂直场矢量分量的内建电场;提供累积光生电荷载流子的第一区域;提供累积光生电荷载流子的第二区域;以及在非均匀掺杂轮廓上方生成包括多个控制电极的控制电极结构,用于基于施加到控制电极结构的信号来将光生电荷载流子朝向累积光生电荷载流子的第一区域或者累积光生电荷载流子的第二区域导向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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