[发明专利]一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法有效
| 申请号： | 201310617266.6 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715071A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 徐峰;陈鹏;谭崇斌;徐洲;张琳;吴真龙;高峰;徐兆青;邵勇;王栾井;宋雪云 | 申请（专利权）人： | 南京大学扬州光电研究院 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/32 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法，属于半导体技术领域。通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延技术，以交替匹配生长原子层级厚度的三元合金铟镓氮（InGaN）和铝镓氮（AlGaN）材料的方法形成铝铟镓氮四元合金薄膜材料。采用以上工艺制备成的AlInGaN四元合金薄膜材料达到以下参数指标：①X射线衍射谱XRD（002）对称面的半峰高宽<240秒；②材料表面粗糙度<1nm；③与氮化镓GaN的c面晶格常数失配度<0.5%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝铟镓氮四元 合金 薄膜 材料 mocvd 外延 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法，其特征在于通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延技术，以交替匹配生长原子层级厚度的三元合金铟镓氮和铝镓氮材料的方法形成铝铟镓氮四元合金薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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