[发明专利]绝缘性糊剂、电子器件及绝缘部形成方法有效
| 申请号： | 201310611930.6 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103839866A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 关根重信;关根由莉奈 | 申请（专利权）人： | 纳普拉有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王灵菇;白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供绝缘性糊剂、电子器件及绝缘部形成方法，所述绝缘性糊剂含有绝缘性微粒（311）、Si微粒（312）和有机Si化合物（320）。有机Si化合物（320）通过与Si微粒312反应而在绝缘性微粒（311）的周围形成Si-O键，从而将其周围填埋。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘性 电子器件 绝缘 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件用绝缘性糊剂，其含有Si微粒和有机Si化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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