[发明专利]一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法无效
| 申请号： | 201310610814.2 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103630708A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陶莹;高宇;邓树军;赵梅玉;段聪 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | G01Q60/24 | 分类号： | G01Q60/24;G01Q30/20 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 071000 河北省保定市北二*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发明涉及一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法，其特征在于，包括以下步骤：将机械精抛后的碳化硅晶片进行化学抛光；将化学抛光后的碳化硅晶片用原子力显微镜测试其表面，在原子力显微镜上显示出所测试表面的粗糙度数值；若显示出的粗糙度数值在0.10～0.50nm之间，则所测试的表面为硅面；若显示出的粗糙度在0.80～3.00nm之间，则所测试的表面为碳面。本发明的特点是既不多加工序也不损伤晶片，即大大的降低成本、提高制片效率，且操作简单安全；同时能省去一个定位边，不但能减少再生长得到的晶体缺陷，提高晶体品质，而且与第一代半导体硅单晶片几何尺寸标准相匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辨别 碳化硅 晶片 硅碳面 方法 | ||
【主权项】：
一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将机械精抛后的碳化硅晶片进行化学抛光；（2）将化学抛光后的碳化硅晶片用原子力显微镜测试其表面，在原子力显微镜上显示出所测试表面的粗糙度数值；（3）若显示出的粗糙度数值在0.10～0.50nm之间，则所测试的表面为硅面；若显示出的粗糙度在0.80～3.00nm之间，则所测试的表面为碳面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北同光晶体有限公司，未经河北同光晶体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310610814.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：手动定心机构
- 下一篇：一种彩色货物漂洗工艺
