[发明专利]抛光垫修整器结构及其制作方法有效
申请号: | 201310603381.8 | 申请日: | 2013-11-26 |
公开(公告)号: | CN104097146A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 沈汶谚;钟润文;魏匡灵;戴子轩;吕权浪 | 申请(专利权)人: | 鑫晶鑽科技股份有限公司 |
主分类号: | B24B53/017 | 分类号: | B24B53/017;H01L21/30 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种抛光垫修整器结构及其制作方法,抛光垫修整器结构包含具有特定轴向的蓝宝石芯片本体及保护膜,蓝宝石芯片本体的上表面具有微结构,保护层覆盖该蓝宝石本体的上表面,微结构的高度误差小于平均高度的5%,该方法包含芯片单元形成步骤、影像转移步骤、热处理步骤及保护层形成步骤,芯片单元形成步骤形成特定轴向的蓝宝石芯片,影像转移步骤以半导体制程的影像转移方式形成微结构,得到蓝宝石芯片本体,热处理步骤减少晶格缺陷,保护层形成步骤在蓝宝石芯片本体上形成保护层,达到提升机械及化学的抗磨耗、抗蚀效果。 | ||
搜索关键词: | 抛光 修整 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种抛光垫修整器结构,其特征在于,包含:一蓝宝石芯片本体,为具有一特定轴向的芯片,且其上表面上具有多个微结构;以及一保护层,为一钻石膜或一类钻碳膜,覆盖该蓝宝石本体的上表面,其中该特定轴向为a轴向、c轴向、r轴向、m轴向、n轴向以及v轴向的其中之一,且所述微结构的高度误差小于一平均高度的5%。
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