[发明专利]一种三维CMOS数字图像传感器有效
| 申请号： | 201310597097.4 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103617998A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈沁;何进 | 申请（专利权）人： | 深港产学研基地 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种三维CMOS数字图像传感器，其特征在于，由平面阵列分布的三维像素构成，包括由金属互联层顶层构成的用于左眼和右眼光分束的金属纳米平面透镜(05)和位于金属互联层顶层下方的用于记录左眼和右眼图像信息的三维像素；每个三维像素包括相邻排列的一个用于记录左眼图像信息的左眼子像素(08)和一个用于记录右眼图像信息的右眼子像素(09)。这种图像传感器，仅需要一个镜头和一个传感器就可以获得三维图像拍摄，而且金属纳米平面透镜和金属纳米彩色滤波器都集成在CMOS数字图像传感器标准工艺的金属互联层中，因此具有工艺兼容性高、光学串扰小、成像分辨率高和稳定性好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 cmos 数字图像 传感器 | ||
【主权项】：
一种三维CMOS数字图像传感器，其特征在于，由平面阵列分布的三维像素构成，包括由金属互联层顶层构成的用于左眼和右眼光分束的金属纳米平面透镜(05)和位于金属互联层顶层下方的用于记录左眼和右眼图像信息的三维像素；每个三维像素包括相邻排列的一个用于记录左眼图像信息的左眼子像素(08)和一个用于记录右眼图像信息的右眼子像素(09)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
