[发明专利]ITO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201310581087.1 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104651785A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 田立飞 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种ITO薄膜的制备方法，所述制备方法采用磁控溅射制备工艺，工艺过程中通入的O2流量随时间变化。利用该方法，可制得折射率范围较宽的ITO薄膜，使之与GaN和封装材料的折射率相匹配，可以有效地降低全反射造成的出光损耗，从而提高LED器件的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用磁控溅射制备工艺，工艺过程中通入的O2流量随时间变化，其变化过程为：ITO薄膜沉积步骤之前，只通Ar气，O2流量为0；ITO薄膜沉积的第一阶段，O2流量分步增加，从0一直增加到最大值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310581087.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铌管靶材的制造方法
- 下一篇：一种用于钕铁硼磁体的镀膜设备及镀膜工艺
- 同类专利
- 专利分类
