[发明专利]ITO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201310581087.1 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104651785A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 田立飞 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用磁控溅射制备工艺，工艺过程中通入的O2流量随时间变化，其变化过程为：
ITO薄膜沉积步骤之前，只通Ar气，O2流量为0；
ITO薄膜沉积的第一阶段，O2流量分步增加，从0一直增加到最大值。
2.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：
ITO薄膜沉积的第二阶段，O2流量分步减小，由最大值逐步减小到0。
3.根据权利要求2所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一阶段为RF和DC共同溅射；所述第二阶段为DC溅射。
4.根据权利要求2所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，在O2流量分步增加或分步减小的过程中，分步时间为2s～10s；分步O2流量为0.02～0.1sccm。
5.根据权利要求4所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，O2流量呈等差数列分步增加或分步减小。
6.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，O2流量的变化率为0.01～0.05sccm/s；O2流量的变化次数为40～200。
7.根据权利要求2所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO薄膜沉积的第二阶段，在O2流量分步减小之前，还包括过渡步骤，所述过渡步骤中O2流量保持最大值不变。
8.根据权利要求7所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述分步时间为5s，分步O2流量为0.05sccm；
ITO薄膜沉积步骤之前，第1-3步，只通Ar气，O2流量为0；ITO薄膜沉积的第一阶段，第4-24步，每一步增加0.05sccm，从0增加到最大值1sccm；
第25步为过渡步骤，O2流量保持最大值1sccm不变；
第26步-第46步为ITO薄膜沉积的第二阶段，第26步O2流量最大值1sccm，每一步减小0.05sccm，从最大值减小到0。
9.根据权利要求1－8任一项所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO薄膜的折射率为1.8～2.8。
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