[发明专利]顶针机构及等离子体加工设备在审
| 申请号： | 201310581074.4 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104658957A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种顶针机构及等离子体加工设备，该顶针机构包括至少三个顶针和用于支撑顶针的托架，在每个顶针与托架之间设置有弹性部件，弹性部件在压力作用下其高度可在弹性范围内发生变化，并使顶针相对于所述托架的高度发生变化。本发明提供的顶针机构不仅可以提高水平调节精度，这使得可以在一定程度上降低顶针机构的其他部件的加工要求及其装配精度要求；而且可以缩短水平调节时间，从而可以提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 顶针 机构 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种顶针机构，包括至少三个顶针和用于支撑顶针的托架，其特征在于，在每个所述顶针与托架之间设置有弹性部件，所述弹性部件在压力作用下其高度可在弹性范围内发生变化，并使所述顶针相对于所述托架的高度发生变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310581074.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：快闪存储器及其形成方法
- 下一篇：用于自对准双构图技术的关键尺寸补偿方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
