[发明专利]晶圆工艺的切割方法

摘要

一种晶圆工艺的切割方法，包括：备有硅晶圆，于硅晶圆正面形成有一金属层，该金属层形成有一凸块层，在该凸块层上贴覆有一晶背研磨贴带，于该硅晶圆背面上进行半切割形成切割道。接着，对该硅晶圆的背面进行研磨至所预定的厚度后仅存部分的切割道，将晶背研磨贴带剥去，将该硅晶圆背面贴覆有切割贴带。最后，以激光在金属层上切割，并贯穿该金属层及该硅晶圆与该切割道相通，即完成芯片切割。藉由此使得制作成本低，而且在工艺过程中不会产生崩塌或裂痕，可以将芯片顶面或底部的碎屑排掉。

主权项

一种晶圆工艺的切割方法，其特征在于，包括：a)、备有一硅晶圆；b)、于硅晶圆的正面形成有一金属层；c)、在该金属层形成有一凸块层；d)、在该凸块层上贴覆有一晶背研磨贴带；e)、在该硅晶圆背面上切割形成有一第一切割道；f)、在该第一切割道形成后，以一第二切割刀伸入至该第一切割道的底部中，在该第一切割道的底部上成形有一第二切割道；g)、对该硅晶圆的背面进行研磨至所预定的厚度，在研磨后该硅晶圆背面仅存有该第二切割道；h)、将晶背研磨贴带剥去后，将该硅晶圆背面贴覆有切割贴带；i)、以激光在金属层上切割，并贯穿该金属层及该硅晶圆与该第二切割道相通，即完成芯片切割。