[发明专利]基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器有效
申请号: | 201310572253.1 | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN103592353A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 胡文闯 | 申请(专利权)人: | 胡文闯 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人: | 白凤武 |
地址: | 100075 北京市丰*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器,所述生物传感器包括底座、晶体管、导电电极,所述导电电极和晶体管分离设置在所述底座上;所述晶体管包括沟道、源极、漏极、栅极电介质,所述沟道两端分别与所述源极、漏极相连,所述沟道上设有栅极电介质,所述沟道是蜿蜒纳米线沟道;所述栅极电介质上设有探针。本发明所述基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器的优越效果在于:所述生物传感器具有体积小,成本低,以及无须使用标签、实时快速对多个目标同时检测,有利于便携式检测和未来的家庭诊断,具推广价值。 | ||
搜索关键词: | 基于 蜿蜒 线形 沟道 离子 敏感 场效应 晶体管 生物 传感器 | ||
【主权项】:
基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器,其特征在于,所述生物传感器包括底座、晶体管、导电电极,所述导电电极和晶体管分离设置在所述底座上;所述晶体管包括沟道、源极、漏极、栅极电介质,所述沟道两端分别与所述源极、漏极相连,所述沟道上设有栅极电介质,所述沟道是蜿蜒纳米线沟道。
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