[发明专利]基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器

权利要求书

1.基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述生物传感器包括底座、晶体管、导电电极，所述导电电极和晶体管分离设置在所述底座上；所述晶体管包括沟道、源极、漏极、栅极电介质，所述沟道两端分别与所述源极、漏极相连，所述沟道上设有栅极电介质，所述沟道是蜿蜒纳米线沟道。

2.根据权利要求1所述的基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述蜿蜒纳米线沟道宽度在5纳米到50微米之间。

3.根据权利要求1所述的基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述蜿蜒纳米线沟道呈蛇形。

4.根据权利要求1所述的基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述蜿蜒纳米线沟道呈锯齿形。

5.根据权利要求1所述的基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述蜿蜒纳米线沟道呈螺旋形。

6.根据权利要求1所述的基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述沟道的材料是硅、锗、碳、石墨烯中的一种。

7.根据权利要求1所述的基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述沟道的材料是硅锗、砷化镓、磷化砷复合材料中的一种。

8.根据权利要求1所述的基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述栅极电介质上设有探针。