[发明专利]激光热处理设备

摘要

本发明提供一种激光热处理设备。所述设备包含：反应腔室，允许晶片支撑件位于其内部空间中且包括设置在其顶面上的窗口；部分除氧模块(OPDM)，位于窗口与晶片支撑件之间且包括注射狭缝，惰性气体经由注射狭缝而注入；惰性气体注射管，插入到圆筒中且允许惰性气体经由注射狭缝流入；惰性气体供应管，分别向惰性气体注射管的一端和另一端供应惰性气体；以及注射控制单元，根据惰性气体的测量注射量来个别地控制惰性气体供应管的一端和另一端的注射量。本发明提供的激光热处理设备在使用激光束进行用于结晶的热处理的同时防止晶片暴露于氧之下。

主权项

一种激光热处理设备，其包括：反应腔室，所述反应腔室允许晶片支撑件位于其内部空间中且包括设置在其顶面上的窗口；部分除氧模块，所述部分除氧模块位于所述窗口与所述晶片支撑件之间且包括注射狭缝，惰性气体经由所述注射狭缝而注入；激光发射器，所述激光发射器经由所述窗口将激光束发射到所述反应腔室的所述内部空间中；圆筒，所述圆筒安装在所述部分除氧模块外部且包括入射狭缝，所述入射狭缝在所述圆筒的侧壁上沿着纵向方向形成为长的；惰性气体注射管，所述惰性气体注射管插入到所述圆筒中且允许所述惰性气体经由所述注射狭缝流入；惰性气体供应管，所述惰性气体供应管分别向所述惰性气体注射管的一端和另一端供应所述惰性气体；流量计，所述流量计分别测量经由所述惰性气体注射管的一端和另一端注射的所述惰性气体的注射量；缓冲流径，所述缓冲流径安装在所述圆筒与所述部分除氧模块之间并且其一端连接到所述注射狭缝且另一端连接到所述入射狭缝；以及注射控制单元，所述注射控制单元根据所述惰性气体的测量注射量来个别地控制所述惰性气体注射管的一端和另一端的注射量。