[发明专利]激光热处理设备

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2012年11月13日申请的第10-2012-0128137号韩国专利申请案的优先权以及由此产生的所有权益，所述专利申请案的内容以引用方式全部并入。

技术领域

本发明涉及一种激光热处理设备，且更明确地说，涉及一种在使用激光进行用于结晶的热处理的同时防止晶片暴露于氧之下的激光热处理设备。

背景技术

在制造液晶显示器或太阳能灯装置时，一般伴随着用于使非晶多晶硅结晶的热处理。在这种情况下，优选的是，在使用具有低熔点的玻璃晶片时使用激光来进行结晶。在这种情况下，大气氧(atmospheric oxygen)与硅偶联，由此形成氧化硅。

图1是显示一般激光热处理设备的示意图。参考图1，窗口20安装在反应腔室10的顶面上，且激光发射器40安装在窗口20上方。从激光发射器40输出的激光束41穿过窗口20且发射到反应腔室10中的晶片W。

图2(a)和图2(b)是显示激光束41的视图。图2(a)是晶片W的俯视图，且图2(b)是晶片W的透视图。如图2(a)和图2(b)中所示，激光束41以线状发射，由此形成为帘形状。在垂直于或稍倾斜于激光束41的平面的方向上水平地传送晶片W，其方式为使得激光束41发射到晶片W的前表面。在这种情况下，当激光束41发射到的部分A暴露于氧气氛(oxygen atmosphere)中时，气相沉积在晶片W的表面上的多晶硅在进行结晶时不是形成晶体硅(crystalline silicon)，而是与氧偶联且形成氧化硅。

[引用的参考文献]

文件1：第2011-0010252号韩国专利公开

发明内容

本发明提供一种在使用激光进行用于结晶的热处理的同时能够防止晶片暴露于氧之下的激光热处理设备。本发明还提供一种能够根据多个惰性气体注射方向均一地注射惰性气体的激光热处理设备。本发明还提供一种能够根据晶片的传送速度控制惰性气体的注射的激光热处理设备。

根据示范性实施例，一种激光热处理设备包含：反应腔室，所述反应腔室允许晶片支撑件位于其内部空间中且包括设置在其顶面上的窗口；部分除氧模块(oxygen partial degassing module；OPDM)，所述部分除氧模块位于所述窗口与所述晶片支撑件之间且包括注射狭缝，惰性气体经由所述注射狭缝而注入；激光发射器，所述激光发射器经由所述窗口将激光束发射到所述反应腔室的内部空间中；圆筒，所述圆筒安装在所述OPDM外部且包括入射狭缝，所述入射狭缝在所述圆筒的侧壁上沿着纵向方向形成为长的；惰性气体注射管，所述惰性气体注射管插入到所述圆筒中且允许所述惰性气体经由所述注射狭缝流入；惰性气体供应管，所述惰性气体供应管分别向所述惰性气体注射管的一端和另一端供应所述惰性气体；流量计，所述流量计分别测量经由所述一端和所述另一端注射的所述惰性气体的注射量；缓冲流径，所述缓冲流径安装在所述圆筒与所述OPDM之间并且其一端连接到所述注射狭缝且另一端连接到所述入射狭缝；以及注射控制单元，所述注射控制单元根据所述惰性气体的测量注射量来个别地控制所述惰性气体供应管的一端和另一端的注射量。

所述OPDM可包含：底面，在所述底面上形成射束发射狭缝，所述激光束穿过所述射束发射狭缝；以及侧壁，在所述侧壁中，沿着所述射束发射狭缝的纵向方向形成所述注射狭缝。

所述惰性气体供应管可包含：第一惰性气体供应管，所述第一惰性气体供应管向所述惰性气体注射管的所述一端供应所述惰性气体；以及第二惰性气体供应管，所述第二惰性气体供应管向所述惰性气体注射管的所述另一端供应所述惰性气体。并且，所述流量计可包含：第一流量计，所述第一流量计测量流经所述第一惰性气体供应管的所述惰性气体的流量；以及第二流量计，所述第二流量计测量流经所述第二惰性气体供应管的所述惰性气体的流量。

所述注射控制单元可包含：质量流量控制阀，所述质量流量控制阀分别控制流经所述第一惰性气体供应管和所述第二惰性气体供应管的所述惰性气体的流量；以及注射控制器，所述注射控制器根据所述第一惰性气体供应管和所述第二惰性气体供应管的相应测量流量来控制所述质量流量控制阀。

附图说明

可从结合附图所作的以下描述中更详细地理解示范性实施例，其中：

图1是显示一般激光热处理设备的示意图。

图2(a)和图2(b)是显示激光热处理设备中的激光束的视图。

图3是显示根据示范性实施例的激光热处理设备的截面图。