[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310572089.4 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811554B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 柳镐仁;赵太熙;金根楠;廉癸憙;朴正焕;张贤禹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底，包括单元区和外围区；/n单元栅电极，埋入在与所述单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；/n单元线图案，横跨所述单元栅电极，所述单元线图案连接到在所述单元有源部分中处于所述单元栅电极的一侧的第一源/漏区；/n外围栅极图案，横跨所述外围区的外围有源部分；/n平坦化的层间绝缘层，在所述衬底上处于所述外围栅极图案周围；/n覆盖绝缘层，在所述平坦化的层间绝缘层和所述外围栅极图案的顶表面上，所述覆盖绝缘层包括相对于所述平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料；以及/n覆盖线图案，在所述单元线图案的顶表面上，所述覆盖线图案的底表面的宽度等于所述单元线图案的顶表面的宽度，以及所述覆盖线图案包括与所述外围区的所述覆盖绝缘层相同的材料，/n其中所述单元线图案包括顺序地堆叠的单元导线和单元硬掩模线，所述覆盖线图案的所述底表面的所述宽度等于所述单元硬掩模线的顶表面的宽度。/n
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