[发明专利]硬掩模有效
| 申请号： | 201310571344.3 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103681253A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | D·王;孙纪斌;庄芃薇;P·特雷弗纳三世;刘骢 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;C08F220/10;C08F220/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡嘉倩 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了适用于旋涂金属硬掩模的包含某些有机金属低聚物的组合物，其中该组合物可以被改变组成以提供具有一系列刻蚀选择性的金属氧化物硬掩模。还提供了使用本发明的组合物沉积金属氧化物硬掩模的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩模 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子器件的方法，包括：(a)提供电子器件基板；(b)在电子器件基板上设置一层有机金属低聚物；和(c)固化所述有机金属低聚物以在电子器件基板上形成金属氧化物层；其中有机金属低聚物选自：(i)包括含金属侧基的低聚物；(ii)式(2)的低聚物![]()
其中R2=(C1-C6)烷基；M1是第3族至第14族金属；R3=(C2-C6)亚烷基X-或(C2-C6)次烷基-X-；每一个X独立地选自O和S；Z是1-5的整数；L1是配体；m指配体的数量并且为1-4的整数；和p=2-25的整数；和(iii)其混合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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