[发明专利]硬掩模有效
申请号: | 201310571344.3 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN103681253A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | D·王;孙纪斌;庄芃薇;P·特雷弗纳三世;刘骢 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;C08F220/10;C08F220/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡嘉倩 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硬掩模 | ||
1.一种制造电子器件的方法,包括:
(a)提供电子器件基板;(b)在电子器件基板上设置一层有机金属低聚物;和(c)固化所述有机金属低聚物以在电子器件基板上形成金属氧化物层;其中有机金属低聚物选自:(i)包括含金属侧基的低聚物;(ii)式(2)的低聚物
其中R2=(C1-C6)烷基;M1是第3族至第14族金属;R3=(C2-C6)亚烷基X-或(C2-C6)次烷基-X-;每一个X独立地选自O和S;Z是1-5的整数;L1是配体;m指配体的数量并且为1-4的整数;和p=2-25的整数;和(iii)其混合物。
2.权利要求1的方法,其中M1选自钛、锆、铪、钨、钽、钼和铝。
3.权利要求1的方法,其中所述包括含金属侧基的低聚物包括一种或多种式(1)的单体作为聚合单元,
其中R1=H或CH3;M=第3族至第14族金属;L是配体;和n是指配体的数量并且为1-4的整数。
4.权利要求3的方法,其中M选自钛、锆、铪、钨、钽、钼和铝。
5.权利要求3的方法,其中每一个L选自(C1-C6)烷氧基。
6.权利要求1的方法,其中每一个L1选自β-二酮、β-羟基酮、β-二酮亚胺酯/根、脒酯/根、胍酯/根和β-羟亚胺。
7.权利要求6的方法,其中每一个L1选自丙酮基丙酮酸酯/根、六氟丙酮基丙酮酸酯/根、N,N'-二甲基-甲基脒酸酯/根合、N,N'-二乙基-甲基脒酸酯/根合、N,N'-二乙基-乙基脒酸酯/根合、N,N'-二-异-丙基-甲基脒酸酯/根合、N,N'-二-异-丙基-异-丙基脒酸酯/根合、N,N'-二甲基-苯基脒酸酯/根合、四甲基胍酯/根和四乙基胍酯/根。
8.权利要求1的方法,其中m=2。
9.权利要求1的方法,其中p=2-10。
10.权利要求1的方法,其中使用包括有机金属低聚物和有机溶剂的组合物进行步骤(b)。
11.权利要求10的方法,其中有机溶剂包含<10000ppm的水。
12.权利要求10的方法,所述方法进一步包括在固化步骤之前移除有机溶剂的步骤。
13.权利要求1的方法,其中所述包括含金属侧基的低聚物是包括一种或多种单体作为聚合单元的共聚物,所述一种或多种单体选自以下单体:(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羟烷基酯、(甲基)丙烯酸烯基酯、(甲基)丙烯酸芳酯;和一种或多种式(1)单体,
其中R1=H或CH3;M=第3族至第14族金属;L是配体;和n是指配体的数量并且为1-4的整数。
14.一种包括一种或多种式(1)的单体作为聚合单元的聚合物,
其中R1=H或CH3;M=第3族至第14族金属;L是配体;和n是指配体的数量并且为1-4的整数。
15.权利要求12的聚合物,所述聚合物进一步包括一种或多种选自以下的单体作为聚合单元:(甲基)丙烯酸烷基酯单体、(甲基)丙烯酸芳基酯单体、(甲基)丙烯酸羟烷基酯单体、(甲基)丙烯酸烯基酯、(甲基)丙烯酸和乙烯基芳族单体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造