[发明专利]一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，包括：A、直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；B、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；C、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；D、直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；E、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Si层上磁控溅射AZO层；F、直流电源溅射铜平面靶，在AZO层上磁控溅射Cu层；G、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；H、交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射SiO2层。本发明的目的是提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的金色双银LOW-E膜的制备。

主权项

一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中SSTOx层上磁控溅射CrNx层；C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的CrNx层上磁控溅射Ag层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Si层；E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Si层上磁控溅射AZO层；F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Cu层；G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Cu层上磁控溅射AZO层；H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射SiO2层。