[发明专利]一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201310567780.3 申请日: 2013-11-14
公开(公告)号: CN103641332A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 陈路玉 申请(专利权)人: 中山市创科科研技术服务有限公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36
代理公司: 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 代理人: 吴剑锋
地址: 528400 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 低成本 金色 辐射 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法。

背景技术

低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率,对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能,广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。

目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高,仅为50%左右;在红外辐射波长范围内透射率较高,尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。故此,现有的透明玻璃基材有待于进步完善。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的金色双银LOW-E膜的制备。

为了达到上述目的,本发明采用以下方案:

一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射不锈钢平面靶,在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层;

B、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤A中SSTOx层上磁控溅射CrNx层;

C、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤B中的CrNx层上磁控溅射Ag层;

D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤C中Ag层上磁控溅射Si层;

E、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在步骤D中的Si层上磁控溅射AZO层;

F、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤E中的AZO层上磁控溅射Cu层;

G、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在步骤F中的Cu层上磁控溅射AZO层;

H、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝合金旋转靶,在步骤G中的AZO层上磁控溅射SiO2层。

如上所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,其特征在于步骤A中所述SSTOx层的厚度为30~45nm,所述氩气与氧气的体积比为1:2,所述直流电源溅的溅射功率为75~115KW,分两个阴极溅射。

如上所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,其特征在于步骤B中所述CrNx层的厚度为3~5nm,氩气与氮气的体积比为1:2,所述直流电源溅射铬平面靶的溅射功率3~6KW。

如上所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,其特征在于步骤C中所述Ag层的厚度为8~10nm,所述的直流电源的溅射功率4~5KW。

如上所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,其特征在于步骤D所述Si层的厚度为10~20nm,所述直流电源的溅射功率3~6KW。

如上所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,其特征在于步骤E中所述AZO层的厚度为50~65nm,掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%,所述交流电的溅射功率50~65KW;用三个旋转阴极溅射。

如上所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,其特征在于步骤F中所述Cu层的厚度为8~10nm,所述直流电源的溅射功率为4~5KW。

如上所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,其特征在于步骤G中所述AZO层的厚度为20~25nm,掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%,所述交流电源的溅射功率为20~25KW。

如上所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,其特征在于步骤H中所述SiO2层的厚度为20~30nm,所述硅铝合金旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8,交流电源溅射功率为50~75KW。

综上所述,本发明的有益效果:

本发明工艺方法简单,操作方便,生产成本相对较低,膜层结构最少,阴极使用量少;节约成本;24K金色调,颜色鲜艳;用Ag及Cu替代Au大幅度降低成本。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述:

实施例1

本发明一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法,包括以下步骤:

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