[发明专利]一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTO_x层；

B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中SSTO_x层上磁控溅射CrN_x层；

C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的CrN_x层上磁控溅射Ag层；

D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Si层；

E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Si层上磁控溅射AZO层；

F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Cu层；

G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Cu层上磁控溅射AZO层；

H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射SiO₂层。

2.根据权利要求1所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述SSTOx层的厚度为30～45nm，所述氩气与氧气的体积比为1：2，所述直流电源溅的溅射功率为75～115KW，分两个阴极溅射。

3.根据权利要求1所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述CrN_x层的厚度为3～5nm，氩气与氮气的体积比为1：2，所述直流电源溅射铬平面靶的溅射功率3～6KW。

4.根据权利要求1所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述的直流电源的溅射功率4～5KW。

5.根据权利要求1所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Si层的厚度为10～20nm，所述直流电源的溅射功率3～6KW。

6.根据权利要求1所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述AZO层的厚度为50～65nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率50～65KW；用三个旋转阴极溅射。

7.根据权利要求1所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述Cu层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率为4～5KW。

8.根据权利要求1所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述AZO层的厚度为20～25nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20～25KW。

9.根据权利要求1所述的一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤H中所述SiO₂层的厚度为20～30nm，所述硅铝合金旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，交流电源溅射功率为50～75KW。