[发明专利]硅片的临时键合工艺方法在审
| 申请号： | 201310566916.9 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104637853A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波;许刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了两种硅片的临时键合工艺方法，方法一包括步骤如下：(1)提供一硅片，一第一载片和一第二载片；(2)在硅片的第一表面，和/或在第一载片的第一表面涂布第一粘合剂；(3)在第二载片的第一表面涂布第二粘合剂；(4)将硅片、第一载片和第二载片临时键合；(5)将第二载片从硅片上解离，清洗去除第二粘合剂；方法二包括步骤如下：(1)提供一硅片，一第三载片和一第四载片；(2)在硅片的第一表面涂布第三粘合剂；(3)在第三载片的第二表面涂布第四粘合剂；(4)将硅片、第三载片和第四载片临时键合；(5)将第四载片从第三载片上解离，清洗去除第四粘合剂。该工艺方法解决了传统工艺中载片和硅片的翘曲问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 临时 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的临时键合工艺方法，其特征在于，该方法包括步骤如下： (1)提供一需键合的硅片，一第一载片和一第二载片； (2)在硅片的第一表面，和/或在第一载片的第一表面涂布第一粘合剂，并对其烘烤； (3)在第二载片的第一表面涂布第二粘合剂，并对其烘烤； (4)将硅片、第一载片和第二载片按照一定的叠放顺序进行临时键合，硅片位于第一载片和第二载片的中间，形成“三明治”结构； (5)将第二载片从硅片的第二表面上解离，清洗去除第二粘合剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
