[发明专利]固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法及相机有效
申请号: | 201310557942.5 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN103811508A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 曾田岳彦 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法及相机。该固态图像传感器包括:具有第一面和第二面的半导体层以及被布置在第一面那一侧的布线结构,其中,光电转换器被布置在半导体层中并且光入射在第二面上。布线结构包括:反射部分,具有反射区域并且被布置用于光电转换器中的至少一些;吸收部分,被布置在反射区域周围;绝缘体部分,被布置为围绕吸收部分;以及层间绝缘膜,被布置在第一面与反射部分、光吸收部分和绝缘体部分的群组之间,以及光吸收部分的反射率小于反射区域的反射率,光吸收部分的光透射率小于绝缘体部分的光透射率。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 制造 方法 相机 | ||
【主权项】:
一种固态图像传感器,包括:半导体层,具有第一面和第二面;以及布线结构,被布置在第一面那一侧,其中,多个光电转换器被布置在半导体层中,其中,来自物体的光入射在第二面上,其中,布线结构包括:多个反射部分,被布置用于所述多个光电转换器中的至少一些光电转换器,所述多个反射部分中的每一个都具有反射区域;多个光吸收部分,其中的每一个被布置在所述多个反射部分中的对应一个反射部分的反射区域周围;绝缘体部分,被布置为围绕所述多个光吸收部分中的每一个;层间绝缘膜,被布置在第一面与所述多个反射部分、所述多个光吸收部分和所述绝缘体部分的群组之间,以及其中,所述多个光吸收部分中的每一个的反射率小于所述多个反射部分中的对应一个反射部分的反射区域的反射率,并且所述多个光吸收部分中的每一个的光透射率小于所述绝缘体部分的光透射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310557942.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的