[发明专利]具有增大的感测面积的BIOFET有效
| 申请号： | 201310554567.9 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104049021A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;刘怡劭;赖飞龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种生物场效应晶体管（BioFET）以及一种制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相容的或者典型的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的一个或多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括：衬底、晶体管结构、隔离层、位于隔离层的开口中的界面层、以及位于界面层上方的金属冠结构。界面层和金属冠结构设置在晶体管的与栅极结构相对的一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增大 面积 biofet | ||
【主权项】：
一种生物场效应晶体管（BioFET）器件，包括：衬底；晶体管结构，位于所述衬底中并且具有位于源极区、漏极区和沟道区上方的栅极结构；隔离层，位于所述衬底的与所述栅极结构相对的一侧上，所述隔离层具有位于所述晶体管结构的所述沟道区处的开口；界面层，位于所述开口中；以及金属冠结构，位于所述界面层上方并且至少部分地覆盖所述开口的侧壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310554567.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：座椅电动升降调节装置
- 下一篇：铁路桥梁梁缝防水结构
