[发明专利]气体传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201310541714.9 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104614401A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 倪梁;伏广才;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种气体传感器及其形成方法，其中气体传感器的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成Au层，在所述Au层上形成导电层；对所述导电层进行图形化形成正极、负极；去除所述正极和负极之间的Au层；在含硅气体环境中，使用汽-液-固单晶硅生长工艺，在所述正极和负极之间的绝缘层上生长硅纳米线，所述正极和所述负极通过硅纳米线电连接。本技术方案的硅纳米线沿平行于绝缘层上表面方向生长，硅纳米线具有很大的表面积，可以吸附更多的带电离子，更有助于正极和负极之间的导通，提升气体传感器的灵敏性，气体传感器的性能较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种气体传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成Au层，在所述Au层上形成导电层；对所述导电层进行图形化形成正极、负极；去除所述正极和负极之间的Au层；在含硅气体环境中，使用汽‑液‑固单晶硅生长工艺，在所述正极和负极之间的绝缘层上生长硅纳米线，所述正极和所述负极通过硅纳米线电连接。
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