[发明专利]等离子体刻蚀设备及方法

摘要

本发明涉及一种等离子体刻蚀设备及方法，等离子体刻蚀设备包括综合工艺腔室；综合工艺腔室包括转台、转台轴、升降卡盘、沉积反应腔室与刻蚀反应腔室；转台上设置多个晶片卡槽，晶片卡槽用于放置晶片；每个沉积反应腔室或每个刻蚀反应腔室分别对应一个升降卡盘；转台轴带动转台将晶片卡槽中的晶片分别多次交替转到沉积反应腔室和刻蚀反应腔室，并由所述升降卡盘推进所述沉积反应腔室和刻蚀反应腔室，经多次薄膜沉积及刻蚀。达到提高刻蚀选择比的目的。

主权项

一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括综合工艺腔室；所述综合工艺腔室包括转台、转台轴、升降卡盘、沉积反应腔室与刻蚀反应腔室；所述转台上设置多个晶片卡槽，所述晶片卡槽用于放置晶片；每个所述沉积反应腔室或每个刻蚀反应腔室分别对应一个所述升降卡盘；所述转台轴带动所述转台将所述晶片卡槽中的晶片分别多次交替转到所述沉积反应腔室和所述刻蚀反应腔室，并由所述升降卡盘将晶片推进所述沉积反应腔室和所述刻蚀反应腔室；其中，所述升降卡盘上升时，将所述转台的晶片卡槽中的晶片分别推进所述沉积反应腔室或所述刻蚀反应腔室中；所述升降卡盘下降时，将晶片从所述沉积反应腔室或所述刻蚀反应腔室送回所述转台的晶片卡槽中；在所述沉积反应腔室内，晶片进行薄膜沉积；在所述刻蚀反应腔室内，晶片进行刻蚀。