[发明专利]等离子体刻蚀设备及方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括综合工艺腔室；

所述综合工艺腔室包括转台、转台轴、升降卡盘、沉积反应腔室与刻蚀反应腔室；

所述转台上设置多个晶片卡槽，所述晶片卡槽用于放置晶片；

每个所述沉积反应腔室或每个刻蚀反应腔室分别对应一个所述升降卡盘；

所述转台轴带动所述转台将所述晶片卡槽中的晶片分别多次交替转到所述沉积反应腔室和所述刻蚀反应腔室，并由所述升降卡盘将晶片推进所述沉积反应腔室和所述刻蚀反应腔室；

在所述沉积反应腔室内，晶片进行薄膜沉积；在所述刻蚀反应腔室内，晶片进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述沉积反应腔室包括第一底座、第一内壁与上电极气体分配板；

所述第一底座与所述上电极气体分配板分别置于所述第一内壁的两端开口上；

所述上电极气体分配板通过第一射频匹配器与第一射频源相连接，用于导入射频功率；所述上电极气体分配板上罩设用于提供稳定的射频功率的第一射频屏蔽盒；所述上电极气体分配板还连接用于提供工艺气体的第一气体盒；

所述第一内壁上连接第一真空管道。

3.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述刻蚀反应腔室包括第二底座、第二内壁与射频线圈；

所述第二底座与所述射频线圈分别置于所述第二内壁的两端开口上；

所述射频线圈通过第二射频匹配器与第二射频源相连接，用于导入射频功率；所述射频线圈上罩设用于提供稳定的射频功率的第二射频屏蔽盒；所述射频线圈还连接用于提供工艺气体的第二气体盒；

所述第二内壁上连接第二真空管道。

4.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，

所述第一底座上设置第一定位孔；所述第二底座上设置第二定位孔；

所述第一定位孔和所述第二定位孔的下方分别设置一个所述升降卡盘；

所述升降卡盘上升时，将所述转台的晶片卡槽中的晶片分别推进所述第一定位孔或所述第二定位孔中；

所述升降卡盘下降时，将晶片从所述第一定位孔或所述第二定位孔送回所述转台的晶片卡槽中；

在所述第一定位孔和所述第二定位孔处分别设置第一密封圈和第二密封圈。

5.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，还包括装卸腔室与传输腔室；

晶片置于所述装卸腔室内，通过所述传输腔室送入所述综合工艺腔室；

晶片在所述综合工艺腔室内经多次薄膜沉积与刻蚀后，再通过所述传输腔室送回所述装卸腔室。

6.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述晶片卡槽的数量为四的倍数；

每四个所述晶片卡槽为一组，每组所述晶片卡槽分别对应一个所述沉积反应腔室和一个所述刻蚀反应腔室。

7.一种等离子体刻蚀方法，其特征在于，使用权利要求1至6任一项所述的等离子体刻蚀设备，工作步骤如下：

步骤A，晶片送入到所述综合工艺腔室的所述转台的所述晶片卡槽；

步骤B，驱动所述综合工艺腔室的所述转台轴转动，交替带动所述转台到对应于所述综合工艺腔室中的所述沉积反应腔室或者所述刻蚀反应腔室的位置，所述综合工艺腔室的所述升降卡盘将晶片推进到所述沉积反应腔室或所述刻蚀反应腔室；

步骤C，晶片在所述沉积反应腔室内，进行薄膜沉积；或者晶片在所述刻蚀反应腔室内，进行刻蚀；

重复步骤B和步骤C，直至达到所需的刻蚀深度。

8.根据权利要求7所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤A还包括如下步骤：

步骤A’，晶片置于所述装卸腔室内，通过所述传输腔室送入所述综合工艺腔室。

9.根据权利要求8所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，薄膜沉积采用PECVD方式。