[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管及其制造方法。此薄膜晶体管包括半导体迭层、绝缘层、栅极、介电层、源极以及漏极。半导体迭层包括第一金属氧化物半导体层以及位于第一金属氧化物半导体层上的第二金属氧化物半导体层，其中第一金属氧化物半导体层的电阻值低于第二金属氧化物半导体层的电阻值。绝缘层位于半导体迭层上。栅极位于绝缘层上。介电层覆盖栅极，其中介电层具有多个接触窗开口。源极以及漏极位于介电层上且填入接触窗开口内，以与半导体迭层电性连接。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：一半导体迭层，其包括一第一金属氧化物半导体层以及位于该第一金属氧化物半导体层上的一第二金属氧化物半导体层，其中该第一金属氧化物半导体层的电阻值低于该第二金属氧化物半导体层的电阻值；一绝缘层，位于该半导体迭层上；一栅极，位于该绝缘层上；一介电层，覆盖该栅极，其中该介电层具有多个接触窗开口；以及一源极以及一漏极，位于该介电层上且填入这些接触窗开口内，以与该半导体迭层电性连接，其中：该第二金属氧化物半导体层的宽度实质上与该第一金属氧化物半导体层的宽度一致，且该源极以及该漏极藉由这些接触窗开口与该第二金属氧化物半导体层接触；或者该第二金属氧化物半导体层的宽度实质上与该第一金属氧化物半导体层的宽度一致，这些接触窗开口贯穿该第二金属氧化物半导体层，且该源极以及该漏极藉由这些接触窗开口与该第一金属氧化物半导体层接触。