[发明专利]一种相变存储器的写操作方法及设备有效
申请号: | 201310534736.2 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN103594112B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 李延松 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 黄厚刚 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种相变存储器的写操作方法及设备,属于计算机领域。该方法包括当相变存储器执行写操作时,根据待写入的数据产生对应的电压脉冲信号,并将该电压脉冲信号作用于待写入的数据对应的相变存储单元包括的相变材料以及与该相变材料串联的分压电阻上;将取样电阻两端的电压值与门限电压比较后产生一个指示值;根据该指示值判断该指示值对应的相变存储单元存储的数据与待写入的数据是否相同;如果相同,则不将待写入数据写入与待写入数据对应的相变存储单元,如果不相同,则将待写入数据写入与待写入数据对应的相变存储单元。本发明减少了向该相变存储单元写数据的延迟时间,进而提高了写操作的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 相变 存储器 操作方法 设备 | ||
【主权项】:
一种相变存储器的写操作方法,其特征在于,所述写操作方法包括:当相变存储器执行写操作时,根据待写入的数据产生对应的电压脉冲信号,并将所述电压脉冲信号作用于所述待写入的数据对应的相变存储单元包括的相变材料以及与所述相变材料串联的分压电阻上;将取样电阻两端的电压值与门限电压比较后产生一个指示值,所述指示值与所述相变存储单元存储的数据相对应,所述取样电阻为分压电阻或者所述相变材料;根据所述指示值判断所述指示值对应的相变存储单元存储的数据与所述待写入的数据是否相同;如果相同,则不将所述待写入数据写入与所述待写入数据对应的相变存储单元,如果不相同,则将所述待写入数据写入与所述待写入数据对应的相变存储单元。
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