[发明专利]具有电荷轨道有序转变及各向异性场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途在审

专利信息
申请号: 201310534419.0 申请日: 2013-11-01
公开(公告)号: CN104600192A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 王晶;胡凤霞;赵莹莹;匡皓;卢海霞;孙继荣;沈保根 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L43/10 分类号: H01L43/10;H01L43/12
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 郭广迅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种具有电荷轨道有序特性及各向异性场致电阻效应的异质结构材料,所述异质结构材料包括:(011)或其斜切取向的PMN-PT单晶衬底和外延生长于其上的钙钛矿锰氧化物薄膜,其中,所述衬底与薄膜的晶格失配度为1~6%。本发明通过引入面内大的各向异性张应变,在薄膜中实现电荷轨道有序转变。所形成的电荷轨道有序排列对外加偏置电场敏感,表现为偏置电场作用下薄膜电阻大幅下降,低温区产生高于磁电阻的大的各向异性场致电阻效应,通过控制薄膜厚度、偏置电场的大小、极性,可以方便地调节场致电阻幅度,满足实际应用的需要。该异质结构材料具有制备工艺简单、功耗低、方便易操作等特点,有利于器件开发与应用。
搜索关键词: 具有 电荷 轨道 有序 转变 各向异性 致电 效应 结构 材料 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
一种具有各向异性场致电阻效应的异质结构材料,所述异质结构材料包括:具有(011)或其斜切取向的PMN‑PT单晶衬底和外延生长于该单晶衬底上的钙钛矿型锰氧化物薄膜,其中,所述钙钛矿型锰氧化物薄膜的化学通式为:R1‑xAxMnO3±δ,其中:R选自La、Pr、Eu、Ho和Nd中的一种或多种,A选自Ca、Sr、Ba和Y中的一种或多种,0<x<1,0≤δ<1;其中,所述PMN‑PT单晶衬底与所述钙钛矿型锰氧化物薄膜的晶格失配度为1~6%。
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