[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201310522759.1 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN103646950A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 李宜璇;奚鹏博;许文曲 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种像素结构,包括数据线、扫描线、至少一主动元件、第一辅助电极以及发光元件。至少一主动元件与数据线以及扫描线电性连接,且每一主动元件包括栅极、通道层、源极以及漏极。第一辅助电极与主动元件电性绝缘。发光元件位于第一辅助电极的上方,其中发光元件包括第一电极层、发光层以及第二电极层。第一电极层与第一辅助电极电性连接。发光层配置于第一电极层上。第二电极层配置于发光层上,其中第二电极层与主动元件电性连接。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一数据线以及一扫描线;至少一主动元件,与该数据线以及该扫描线电性连接,且每一主动元件包括一栅极、一通道层、一源极以及一漏极;一第一辅助电极,与该主动元件电性绝缘;以及一发光元件,位于该第一辅助电极的上方,其中该发光元件包括:一第一电极层,与该第一辅助电极电性连接;一发光层,配置于该第一电极层上;以及一第二电极层,配置于该发光层上,其中该第二电极层与该主动元件电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的