[发明专利]一种卤化聚合物及其制备方法在审
| 申请号： | 201310522168.4 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104592466A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 于国柱;徐宏德;赫炜;钟林;包巧云;朱峰;周爱霞 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院 |
| 主分类号： | C08F297/04 | 分类号： | C08F297/04;C08F8/22;C08L53/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李小梅;刘金辉 |
| 地址： | 100728 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种卤化多嵌段共聚物，该共聚物在卤化前具有式S1-I/B-S2结构，其中S1和S2为聚苯乙烯嵌段，I/B表示异戊二烯与丁二烯的无规共聚段，其中在卤化嵌段共聚物中，异戊二烯单体单元中碳-碳双键的0.4-80％被卤化且丁二烯单体单元中碳-碳双键与异戊二烯单体单元中碳-碳双键的卤化程度之比不超过0.01。本发明还涉及一种制备本发明卤化多嵌段共聚物的方法。本发明的卤化多嵌段共聚物不仅可以有效地改进相容性，而且其玻璃化温度的升高不至于太明显，以致于影响应用于压敏粘合剂时的粘合性能，尤其是压敏胶的剥离强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤化 聚合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种卤化的三嵌段共聚物，该嵌段共聚物在卤化前为具有式S1‑I/B‑S2结构的嵌段共聚物，其中S1和S2各自独立地为聚苯乙烯嵌段，I/B表示异戊二烯与丁二烯的无规共聚嵌段，其特征在于，在卤化嵌段共聚物中，嵌段I/B中异戊二烯单体单元所含不饱和碳‑碳双键的0.4‑80％被卤化，并且嵌段I/B中丁二烯单体单元所含不饱和碳‑碳双键的卤化程度与异戊二烯单体单元所含不饱和碳‑碳双键的卤化程度之比不超过0.01，所述卤化优选为溴化或氯化。
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