[发明专利]一种高性能混合型内容可寻址存储器控制单元有效
| 申请号： | 201310520212.8 | 申请日： | 2013-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103531232A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 蔺智挺;耿杨;吴秀龙;龚才;李正平;谭守标;孟坚;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C15/04 | 分类号： | G11C15/04 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能混合型内容可寻址存储器控制单元，该控制单元包括：反相器、PMOS管P0、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4与NMOS管N5；其中，所述PMOS管P0的漏极与所述NMOS管N3的漏极相连，且所述PMOS管P0的栅极与所述NMOS管N2的漏极、所述NMOS管N3的栅极及所述NMOS管N4的漏极相连；所述NMOS管N2的栅极经由反相器与所述NMOS管N4的栅极以及所述NMOS管N5的栅极相连。通过采用本发明公开的控制单元，增强了匹配线稳定性和提高放电速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 混合 内容 寻址 存储器 控制 单元 | ||
【主权项】：
一种高性能混合型内容可寻址存储器控制单元，其特征在于，该控制单元包括：反相器、PMOS管P0、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4与NMOS管N5；其中，所述PMOS管P0的漏极与所述NMOS管N3的漏极相连，且所述PMOS管P0的栅极与所述NMOS管N2的漏极、所述NMOS管N3的栅极及所述NMOS管N4的漏极相连；所述NMOS管N2的栅极经由反相器与所述NMOS管N4的栅极以及所述NMOS管N5的栅极相连。
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