[发明专利]涂层材料的光刻方法有效
| 申请号： | 201310520177.X | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104570593B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 郑展;杜海;董天化;霍燕丽;庄燕萍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种涂层材料的光刻方法，包括：在半导体衬底上涂敷第一涂层；对所述第一涂层进行曝光；在所述第一涂层上涂敷第二涂层；对所述第二涂层进行曝光；对所述第一涂层和第二涂层进行显影，形成上宽下窄的开口；对所述第一涂层和第二涂层进行高温烘烤工艺。通过两次涂敷和曝光工艺形成上宽下窄的开口，以使经过高温工艺的涂层材料如聚酰亚胺的图案轮廓良好（无边缘尖端突起），提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层材料 涂敷 上宽下窄 光刻 开口 高温工艺 高温烘烤 尖端突起 聚酰亚胺 曝光工艺 图案轮廓 曝光 衬底 显影 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种涂层材料的光刻方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上涂敷第一涂层；对所述第一涂层进行曝光；在所述第一涂层上涂敷第二涂层；对所述第二涂层进行曝光；对所述第一涂层和第二涂层进行显影，形成上宽下窄的开口，所述开口包括位于第一涂层中的下开口部和位于第二涂层中的上开口部，并且所述下开口部的侧壁和所述上开口部的侧壁相互连接；对所述第一涂层和第二涂层进行高温烘烤工艺。
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