[发明专利]涂层材料的光刻方法有效
| 申请号： | 201310520177.X | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104570593B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 郑展;杜海;董天化;霍燕丽;庄燕萍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 涂层材料 涂敷 上宽下窄 光刻 开口 高温工艺 高温烘烤 尖端突起 聚酰亚胺 曝光工艺 图案轮廓 曝光 衬底 显影 半导体 | ||
1.一种涂层材料的光刻方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上涂敷第一涂层；
对所述第一涂层进行曝光；
在所述第一涂层上涂敷第二涂层；
对所述第二涂层进行曝光；
对所述第一涂层和第二涂层进行显影，形成上宽下窄的开口，所述开口包括位于第一涂层中的下开口部和位于第二涂层中的上开口部，并且所述下开口部的侧壁和所述上开口部的侧壁相互连接；
对所述第一涂层和第二涂层进行高温烘烤工艺。
2.如权利要求1所述的涂层材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂层和第二涂层是聚酰亚胺。
3.如权利要求2所述的涂层材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂层和第二涂层是负性聚酰亚胺。
4.如权利要求2所述的涂层材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂层和第二涂层的总厚度大于20μm。
5.如权利要求2所述的涂层材料的光刻方法，其特征在于，所述高温烘烤工艺是固化工艺，所述固化工艺的温度范围是100～500摄氏度。
6.如权利要求2所述的涂层材料的光刻方法，其特征在于，所述高温烘烤工艺是固化工艺，所述固化工艺的时间范围是10～240分钟。
7.如权利要求1所述的涂层材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂层和第二涂层是光刻胶。
8.如权利要求7所述的涂层材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂层和第二涂层是负性光刻胶。
9.如权利要求1至8中任意一项所述的涂层材料的光刻方法，其特征在于，通过调整曝光工艺的聚焦点来形成上宽下窄的开口。
10.如权利要求1至8中任意一项所述的涂层材料的光刻方法，其特征在于，所述涂层材料用于封装工艺。
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