[发明专利]一种MOS结构的辐射剂量探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310508920.X | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103523742A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张锦文;杨钰淏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 周政 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS结构的辐射剂量探测器及其制备方法，该辐射剂量探测器从上到下依次包括顶电极，复合氧化层，衬底和底电极，所述复合氧化层又包括热氧化层和淀积层。该复合氧化层由于通过刻蚀和淀积技术制备的结构，从而使本发明辐射剂量探测器的MOS结构具有高缺陷密度、大厚度的氧化层。利用本发明MOS结构的辐射剂量探测器，测量时在较低电压下就可以获得较大的电流，提高了灵敏度，降低了测量难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 结构 辐射 剂量 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS结构的辐射剂量探测器，从上到下依次包括顶电极，复合氧化层，衬底和底电极，所述复合氧化层又包括热氧化层和淀积层。
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