[发明专利]光敏二极管

摘要

本发明涉及一种光敏二极管，在一P型衬底中形成有N型阱区，N型阱区的表面设有硅化物层，硅化物层的表面设置有多晶硅层；位于硅化物层左右两侧的N型阱区中分别设置有第一P型有源区和第二P型有源区，第一、第二P型有源区的表面分别设置有第一、第二接触孔，第一接触孔内侧与第二接触孔内侧之间构成感光区；位于第一P型有源区左侧的N型阱区内还设置有第一N型重掺杂区域，位于第二P型有源区右侧的N型阱区内还设置有第二N型重掺杂区域；位于第一N型重掺杂区域的左右两侧的P型衬底中分别设有第三、第四P型重掺杂区域，第一、第二N型重掺杂区域和第三、第四P型重掺杂区域中分别设置有第三、第四、第五、第六接触孔。

主权项

一种光敏二极管，包括：多晶硅层、硅化物层、P型重掺杂区域、N型重掺杂区域、N型阱区、P型衬底和接触孔，其特征在于，所述P型衬底中形成有所述N型阱区，所述N型阱区的表面设有硅化物层，所述硅化物层的表面设置有多晶硅层；位于所述硅化物层左侧的N型阱区内设置有第一P型有源区，位于所述硅化物层右侧的N型阱区内设置有第二P型有源区，所述第一P型有源区和所述第二P型有源区通过所述硅化物层隔开；所述第一P型有源区的表面设置有第一接触孔，所述第二P型有源区的表面设置有第二接触孔，所述第一接触孔内侧与所述第二接触孔内侧之间构成感光区；位于所述第一P型有源区左侧的N型阱区内还设置有第一N型重掺杂区域，位于所述第二P型有源区右侧的N型阱区内还设置有第二N型重掺杂区域；所述第一N型重掺杂区域的表面设置有第三接触孔，所述第二N型重掺杂区域的表面设置有第四接触孔；位于所述第一N型重掺杂区域左侧的P型衬底中设置有第三P型重掺杂区域，位于所述第二N型重掺杂区域右侧的P型衬底中设置有第四P型重掺杂区域；所述第三P型重掺杂区域的表面设置有第五接触孔，所述第四P型重掺杂区域的表面设置有第六接触孔。