[发明专利]一种采用激光退火生成镍硅化物的方法

摘要

本发明公开了一种采用激光退火生成镍硅化物的方法，通过采用两次激光退火工艺来制备镍硅化物，同时保证两次激光退火的稳定在一定范围内，可最终得到一电阻率较低的镍硅化物。由于采用激光进行加热退火，相比较传统工艺速度更快，极大提高了生产效率，降低生产成本；同时采用激光可对硅片必要位置处进行加热，而其余位置处则不进行加热，避免在不必要位置处镍产生扩散并与硅反应生成镍硅化物尖峰从而导致漏电流现象的产生，提高了器件性能。

主权项

一种采用激光退火生成镍硅化物的方法，应用于自对准镍硅化物工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅片，所述硅片包括硅衬底，所述硅衬底形成有浅沟槽，浅沟槽之间形成有源级和漏极，所述源漏极之间位于位于衬底上方还形成有栅极，所述栅极还形成有侧壁；对所述硅片进行清洗，去除表面的氧化层；淀积一覆盖层覆盖所述衬底表面及栅极顶部及侧壁表面；进行第一激光退火工艺，于所述源漏极及栅极顶端内部形成第一镍硅化物层；选择性刻蚀去除未反应的覆盖层；进行第二激光退火工艺，将所述第一镍硅化物层转化为第二镍硅化物层。