[发明专利]一种晶圆背面的表面修复方法有效
| 申请号： | 201310499947.7 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103531440A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆背面的表面修复方法，首先将晶圆放入惰性气体（如Ar）和氧气的混合气体环境中，氧气与惰性气体的体积份数之比为1：100～3:100，然后利用日本TEL公司的SPA机台进行表面修复，其可以在低温下产生浓度分布均匀的高密度RLSA等离子体（径向线缝隙天线等离子体），RLSA等离子体在压力范围为5毫托～500毫托，温度范围为300℃～400℃，在惰性气体(如Ar等)与氧气的环境下与晶圆背面作用，修复晶圆背面的表面缺陷，以降低界面缺陷密度，从而获得很好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 表面 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆背面的表面修复方法，其特征在于：首先将晶圆放入惰性气体和氧气的混合气体环境中，然后通入等离子体，所述等离子体作用于晶圆背面，修复晶圆背面的表面缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
