[发明专利]反及闪存及其热载子生成和写入方法

摘要

本发明公开了一种反及闪存及其热载子生成和写入方法，存储器元件被叙述成包括一具有多个存储单元的三维阵列，此一阵列具有多层存储单元的阶层，阶层中的存储单元由多条字线和多条位线所存取。控制电路被耦接到这些字线和这些位线。控制电路是用于通过热载子生成辅助FN隧穿，写入位于阵列的一选取的阶层中并位于一选取的字线上的一选取的存储单元，同时通过自我升压(self‑boosting)，抑止位于未选取的阶层中和位于此一选取的阶层中并位于未选取的字线上的未选取的存储单元的干扰。

主权项

一种存储器，包括：一包含多个存储单元的三维的阵列，具有多层存储单元的阶层；多条字线，和多条位线；以及控制电路，耦接到这些字线和这些位线，该控制电路用于通过热载子生成辅助FN隧穿，写入位于该阵列的一选取的阶层中并位于一选取的字线上的一选取的存储单元，同时通过自我升压，抑止位于未选取的阶层中和位于该选取的阶层中并位于未选取的字线上的未选取的存储单元的干扰；其中，该控制电路在写入区间还执行如下操作：施加一写入干扰解除电压到一写入干扰解除字线，以及该选取的字线与该写入干扰解除字线之间的另一条字线，以在至少一部分的该写入区间减少写入干扰，该写入干扰解除电压小于漏极侧通过电压和源极侧通过电压；其中该阵列包括多条半导体长条，这些半导体长条上有配置成多个串联的多个存储单元，且该存储器包括在该写入区间写入该选取的存储单元，在该写入区间写入该选取的存储单元是通过：在该写入区间，偏压串联的这些存储单元的串联的一第一端和一第二端的其中之一到一漏极侧电压，并偏压该第一端和该第二端的另一个到一源极侧电压，在该写入区间，施加多个该漏极侧通过电压到位于该选取的字线与该第一端和该第二端的该其中之一之间的多条字线的一第一小组，在该写入区间，施加多个该源极侧通过电压到位于该选取的字线与该第一端和该第二端的该另一个之间的多条字线的一第二小组，在该写入区间，施加一写入电压到该选取的字线；以及施加一开关电压到这些字线中的一开关字线和串联的这些存储单元中一对应的存储单元，以在至少一部分的该写入区间控制热载子写入，该开关字线作为另一条字线邻接该选取的字线，且该对应的存储单元邻接该选取的存储单元。