[发明专利]一种P型绝缘栅双极型晶体管结构有效
| 申请号： | 201310496804.0 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103618002A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;戴伟楠;杨卓;孙华芳;祝靖;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种P型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在N型掺杂硅衬底上方依次设有P型掺杂硅缓冲层和P型轻掺杂硅外延层，在P型轻掺杂硅外延层内设有和N型柱，在N型掺杂半导体区中设有P型和N型重掺杂半导体区，在N型柱中设有N型重掺杂半导体区，在N型柱和P型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在P型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的P型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且P型和N型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种P型绝缘栅双极型晶体管结构，包括兼做集电区的N型掺杂硅衬底(2)，在N型掺杂硅衬底(2)下方设有集电极金属(1)，在N型掺杂硅衬底(2)上方设有P型掺杂硅缓冲层(3)，在P型掺杂硅缓冲层(3)上方设有P型轻掺杂硅外延层(4)，在P型轻掺杂硅外延层(4)内设有N型掺杂半导体区(7)，在N型掺杂半导体区(7)中设有P型重掺杂半导体区(8)和N型重掺杂半导体区(9)，其特征在于，在P型轻掺杂硅外延层(4)内还设有N型柱（5），在N型柱(5)和P型轻掺杂硅外延层(4)之间设有介质层(6)，在N型柱(5)中也设有N型重掺杂半导体区(9)，在P型轻掺杂硅外延层(4)上方设有栅氧化层(10)，在栅氧化层(10)上方设有多晶硅栅(11)，并且，所述多晶硅栅(11)始于介质层(6)的上方并止于与介质层(6)相邻的P型重掺杂半导体区(8)的上方，在多晶硅栅(11)上方设有氧化层(12)，在氧化层(12)上方设有发射极金属(13)，P型重掺杂半导体区(8)和N型重掺杂半导体区(9)与发射极金属(13)电连接。
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