[发明专利]线路的制造方法无效
申请号: | 201310495279.0 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103811333A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 许力介;郭晓文;陈维钏 | 申请(专利权)人: | 杰圣科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;G06F3/041;H05K3/06 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种线路的制造方法,其包括下列步骤:提供具有第一导电薄膜层及第二导电薄膜层的基板,在基板的第二导电薄膜层上形成第一图案化保护层。蚀刻第二导电薄膜层至露出局部的第一导电薄膜层,进一步地形成第二图案化保护层于第一图案化保护层之上或对第一图案化保护层施加压力,使第二导电薄膜层获得覆盖而得到保护,再蚀刻第一导电薄膜层。 | ||
搜索关键词: | 线路 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种线路的制造方法,其包括下列步骤:提供基板,在该基板上依顺序形成第一导电薄膜层以及第二导电薄膜层;在该基板的该第二导电薄膜层上形成第一图案化保护层;蚀刻该第二导电薄膜层至露出局部的该第一导电薄膜层;形成第二图案化保护层于该第一图案化保护层之上,并使该第二图案化保护层覆盖该第二导电薄膜层的侧面;以及蚀刻该第一导电薄膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰圣科技股份有限公司,未经杰圣科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310495279.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件及其制造方法
- 下一篇:薄膜晶体管的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造